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本发明涉及一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射的涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y))的方法，所述EUV辐射被施加到反射镜(M4)的基板(25)上，所述方法包括：通过将局部能量输入(E(x,y))引入到涂层(26)中来产生...该专利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡尔蔡司SMT有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射的涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y))的方法，所述EUV辐射被施加到反射镜(M4)的基板(25)上，所述方法包括：通过将局部能量输入(E(x,y))引入到涂层(26)中来产生...