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本发明提供了一种ＦｉｎＦＥＴ元件和制造ＦｉｎＦＥＴ元件的方法。ＦｉｎＦＥＴ元件包括锗ＦｉｎＦＥＴ元件（如包括Ｇｅ鳍的多栅器件）。在一个实施例中，制造Ｇｅ－ＦｉｎＦＥＴ元件的方法包括在衬底上形成硅鳍，在硅鳍上选择生长包括锗的外延层。然后使用Ｇ...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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