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本发明公开了晶圆集成电路封装技术领域的先进晶圆级集成电路封装方法，包括如下步骤：S1、前处理；S2、真空溅镀；S3、黄光制程；S4、电镀铜/镍/锡银或铜/锡银；S5、蚀刻；S6、后制程。本发明通过导入厚光阻取代较薄光阻的直壁式电镀并调整电流...
该专利属于日月新半导体（昆山）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月新半导体（昆山）有限公司授权不得商用。

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