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本公开提供一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括基底、栅极结构、第一掺杂区与第二掺杂区。基底中具有多个凹槽。栅极结构覆盖多个凹槽及其彼此之间的基底表面。栅极结构包括栅介电层以与栅极导电层。栅介电层覆盖多个凹槽的底面与侧壁及多个凹槽之间...
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