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本公开提供了一种磁隧道结存储单元仿真方法、设备及介质，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取预先建立的磁隧道结等效模型的结构参数，磁隧道结等效模型是对具有刻蚀侧壁角的待仿真磁隧道结存储单元建立的圆台状等效模型；将结构参数输入预先建立的胞内杂散...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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