【技术实现步骤摘要】
所属的技术人员能够理解，本公开的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本公开的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图17来描述根据本公开的这种实施方式的电子设备1700。图17显示的电子设备1700仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图17所示，电子设备1700以通用计算设备的形式表现。电子设备1700的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1710、上述至少一个存储单元1720、连接不同系统组件(包括存储单元1720和处理单元1710)的总线1730。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元1710执行，使得所述处理单元1710执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。存储单元1720可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)17201和/或高速缓存存储单元17202，还可以进一步包括只读...
【技术保护点】
1.一种磁隧道结存储单元仿真方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁隧道结等效模型包括自由层和杂散场影响层，其中，所述杂散场影响层包括参考层和/或硬层；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述结构参数输入预先建立的胞内杂散场仿真模型，得到所述待仿真磁隧道结存储单元的胞内杂散场的仿真数据，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一仿真模型包括等效电流仿真子模型和磁场强度仿真子模型，
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述结构参数输入所述第...
【技术特征摘要】
1.一种磁隧道结存储单元仿真方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁隧道结等效模型包括自由层和杂散场影响层，其中，所述杂散场影响层包括参考层和/或硬层；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述结构参数输入预先建立的胞内杂散场仿真模型，得到所述待仿真磁隧道结存储单元的胞内杂散场的仿真数据，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一仿真模型包括等效电流仿真子模型和磁场强度仿真子模型，
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述结构参数输入所述第一仿真模型，得到所述胞内杂散场的磁场强度参数，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述结构参数包括所述杂散场影响层的厚度参数；
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述电流仿真参数输入所述磁场强度仿真子模型，得到所述磁场强度参数，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将所述磁场强度参数输入所述第二仿...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，刘晓阳，徐汉东，顾婷婷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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