温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；位于所述第二外延层内且横向设置的第一掺杂类型的源极接触、沟道区和漏极接触；第二掺杂类型的栅极，形成在所述沟道区内，所述栅极的底面具有栅极下凸起；其中，所述...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。