一种横向SiC-JFET器件制造技术

本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；位于所述第二外延层内且横向设置的第一掺杂类型的源极接触、沟道区和漏极接触；第二掺杂类型的栅极，形成在所述沟道区内，所述栅极的底面具有栅极下凸起；其中，所述沟道区位于所述栅极之下的区域为沟道。本申请实施例解决了传统横向SiC‑JFET器件因长条状的沟道的限制导致开关速度和跨导较低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体地，涉及一种横向sic-jfet器件。

技术介绍

1、sic作为第三代半导体材料较传统si材料有着很多优点。首先，sic是一种宽禁带材料，其禁带宽度达到3.2ev远高于si(禁带宽度1.1ev)，因此采用sic制作的器件在相同的击穿电压情况下，其体积较si基器件小很多，一般尺寸可以缩小十倍以上；同时sic材料的导热性好，对于功率应用来说，优良的导热能力可以支持其大功率应用。

2、结型场效应晶体管(junction field-effect transistor，jfet)是一种电压控制半导体器件，具有栅(gate)，源(source)和漏(drain)三个端口，通过栅极施加电压控制沟道导通和关断实现电流从漏极到源极传输，常应用于从放大器到开关电路的各种电子元件中。对于大部分的器件来说，开关速度和饱和电流是存在矛盾的，设计一个既有好的开关速度又有较高的饱和电流是非常重要的。

3、图1为现有的sic-jfet结构的示意图。如图1所示，衬底1，p型第一外延层2，p-外延层3，n型外延层4，p栅极区域5，n源极区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，所述栅极下凸起设置在所述栅极的底面中靠近所述源极接触(113)的位置。

3.根据权利要求2所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，所述源极接触(113)到所述漏极接触(106)的排列方向为第一方向；

4.根据权利要求3所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，所述栅极位于栅极下凸起位置的结构为第一栅区(111)，所述栅极中除第一栅区(111)以外的部分作为第二栅区(112)；

5.根据权利要求4所述的横向SiC-JFET...

【技术特征摘要】

1.一种横向sic-jfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述栅极下凸起设置在所述栅极的底面中靠近所述源极接触(113)的位置。

3.根据权利要求2所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述源极接触(113)到所述漏极接触(106)的排列方向为第一方向；

4.根据权利要求3所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述栅极位于栅极下凸起位置的结构为第一栅区(111)，所述栅极中除第一栅区(111)以外的部分作为第二栅区(112)；

5.根据权利要求4所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述第二栅区(112)在横向方向的宽度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡燕萌，王畅畅，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：