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本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。横向SiC‑JFET器件，包括：基底；位于基底之上且依次排列的栅极和漂移区；位于栅极之上的栅极接触金属化合物；栅电极，所述栅电极具有竖向底部和横向连接在竖向底部之上的横向顶部；所述...
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