一种横向SiC-JFET器件及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。横向SiC‑JFET器件，包括：基底；位于基底之上且依次排列的栅极和漂移区；位于栅极之上的栅极接触金属化合物；栅电极，所述栅电极具有竖向底部和横向连接在竖向底部之上的横向顶部；所述栅电极的竖向底部位于所述栅极接触金属化合物之上；所述栅电极的横向顶部覆盖所述栅极的边缘。本申请实施例解决了传统横向SiC‑JFET器件因栅极附近的电场强度过高，漂移区横向电场过低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体地，涉及一种横向sic-jfet器件及其制备方法。

技术介绍

1、结型场效应晶体管(junction field-effect transistor，jfet)是一种电压控制的半导体器件，通过栅极(gate)施加电压控制电流从漏极(drain)向源极(source)的流通，是最简单的三端口场效应晶体管之一。它具有低噪音、小尺寸和高频响应等优点，常应用于开关器件、电源放大器件和数码电子电路中，满足不同电子设备的要求。

2、第三代半导体材料sic材料禁带宽度(3.2ev)比传统半导体si材料(1.1ev)大，具有耐高温和耐高压的优点，在占用相同的芯片尺寸和面积下，sic横向jfet器件具有更高的击穿电压，耐高压的优势可以转换为芯片面积优势和导通电阻优势，减少成本并提升器件性能，适合制备功率器件，同时sic材料的饱和漂移速度是si材料的两倍，具备高响应速度的优势，适合制备射频器件。

3、图1为现有的横向jfet器件常见结构。如图1所示，衬底1，p-型外延层2，n型漂移区3，p+型半导体层4，n+型源区层5，p+型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，所述栅电极(17)的横向顶部越过所述沟道区(5)的长度小于等于所述沟道区(5)到所述漏极(10)之间距离。

4.根据权利要求2所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求4所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种横向sic-jfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述栅电极(17)的横向顶部越过所述沟道区(5)的长度小于等于所述沟道区(5)到所述漏极(10)之间距离。

4.根据权利要求2所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求4所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述基底包括：

8.根据权利要求6或7所述的横向s...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宇，岳丹诚，王畅畅，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：