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本发明是有关于一种堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法，是在集成电路晶粒或晶圆上形成穿硅介层窗（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｓｉｌｉｃｏｎ？ｖｉａｓ；ＴＳＶｓ），其中穿硅介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加的高宽比的穿硅介层窗，而更深入地延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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