温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体装置1具备具有第1主面(10a)和第2主面(10b)的半导体层(10)、以及沟槽栅极(30)。半导体层具有n型的漂移区域(12)、以及比漂移区域靠第1主面侧设置的p型的体区域(14)。沟槽栅极设置在从半导体层的第1主面将体区域贯通而达...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。