半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置1具备具有第1主面(10a)和第2主面(10b)的半导体层(10)、以及沟槽栅极(30)。半导体层具有n型的漂移区域(12)、以及比漂移区域靠第1主面侧设置的p型的体区域(14)。沟槽栅极设置在从半导体层的第1主面将体区域贯通而达到漂移区域的沟槽(TR1)内。沟槽栅极的侧面与体区域及漂移区域相接。在与沟槽栅极的侧面相接的部分中，体区域和漂移区域中的仅体区域具有与距沟槽栅极的侧面较远侧相比杂质浓度低的沟道区域(14b)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、在日本特开2018－101706号公报中，公开了使与沟槽栅极的侧面相接的部分的杂质浓度降低了的半导体装置。在日本特开2018－101706号公报所公开的半导体装置中，特别是，由于p型体层中的与沟槽栅极的侧面相接的部分的杂质浓度降低，所以沟道电阻降低。

技术实现思路

1、但是，根据专利文献1的技术，n型漂移层中的与沟槽栅极的侧面相接的部分的杂质浓度也降低。经本专利技术者们研究得知，在这样的半导体装置中，漂移电阻的增加成为问题。

2、本说明书公开的半导体装置能够具备具有第1主面和第2主面的半导体层、以及沟槽栅极。上述半导体层能够具有第1导电型的漂移区域、以及比上述漂移区域靠上述第1主面侧设置的第2导电型的体区域。上述沟槽栅极设置在从上述半导体层的上述第1主面将上述体区域贯通而达到上述漂移区域的沟槽内。上述沟槽栅极的侧面与上述体区域及上述漂移区域相接。在与上述沟槽栅极的侧面相接的部分中，上述体区域和上述漂移区域中的仅上述体区域具有与距上述沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置(1)，其特征在于，

2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求1～5中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

7.一种半导体装置(1)的制造方法，其特征在于，

8.如权利要求7记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.如权利要求8记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置(1)，其特征在于，

2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求1～5中任一项记载的半导体装置，其特征在于，

7.一种半导体装置(...

【专利技术属性】
技术研发人员：高谷秀史，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：