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本发明涉及一种基于硅不同掺杂类型膜层刻蚀残留的检测方法，采用原子力显微镜的扫描形貌结合扫描电容显微镜的dC/dV Phase信号来判断去层产品是否存在刻蚀残留以及残留的形式，原子力显微镜结合扫描电容显微镜的检测方法对于去层产品表面的掺杂类型...
该专利属于胜科纳米（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过胜科纳米（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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