【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种基于硅不同掺杂类型膜层刻蚀残留的检测方法。
技术介绍
1、掺杂，是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺，通过向半导体材料中引入外部原子，可以改变其电导率、光学性能等特性，从而使半导体材料具有特定的功能或用途。通常情况下，掺杂元素的浓度在ppm甚至ppb级别，所以需要使用检测灵敏度较高的检测方式如二次离子质谱进行表征，但是在硅基半导体产品中经常会存在相同材质不同掺杂类型的膜层，由于材质相同，只是掺杂类型不同，从元素角度很难准确判断去层后是否存有残留。
2、去层后残留膜层较厚、区域足够大时，可以利用二次离子质谱进行深度分析判断，如cn102610239a公开了一种用于制造磁传感器的方法，该方法包括形成上面形成有多层顶盖结构的传感器堆。所述多层顶盖结构可以包括第一、第二、第三和第四层。所述第二层由不易被氧化且不同于第一层的材料构成。所述传感器可以使用包括碳硬掩膜的掩膜来形成。在通过离子刻蚀形成了传感器堆之后，可以通过离子反应蚀刻去除硬掩膜。然后，执行清洗工艺，以去除顶盖层结构中的第二、第三和...
【技术保护点】
1.一种基于硅不同掺杂类型膜层刻蚀残留的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述固定的方式包括采用导电银浆进行固定。
3.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述固定为使待去层样品与样品台之间电接触良好。
4.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述分析中设置扫描电容显微镜的交流电压范围为0.1-4V；
5.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(3)所述固定的方式包括采用导电银浆进行固定
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【技术特征摘要】
1.一种基于硅不同掺杂类型膜层刻蚀残留的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述固定的方式包括采用导电银浆进行固定。
3.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述固定为使待去层样品与样品台之间电接触良好。
4.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述分析中设置扫描电容显微镜的交流电压范围为0.1-4v；
5.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(3)所述固定的方式包括采用导电银浆进行固定。
6.根据权利要求1-5任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(3)所述固定为使去层样品与样品台之间电接触良好。
7.根据权利要求1-6任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(3)所述关注区域的尺寸＜50μm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤(3)所述关注区域的形貌均匀程...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵弇斐，朱雷，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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