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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于所述衬底一侧的外延结构；位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个栅极，所述栅极沿第一方向延伸，多个所述栅极沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述衬底所在平...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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