【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、gan(氮化镓)半导体器件具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿场强高、耐高温等显著优点，与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比，更适合制作高温、高压、高频和大功率的电子器件，具有广阔的应用前景，可以广泛用于射频微波领域及电力电子领域，已成为目前半导体行业研究的热点。
2、目前5g通信对于半导体芯片的带宽和工作频率要求越来越高，氮化镓高电子迁移率晶体管是利用algan/gan异质结处的二维电子气形成的一种高电子迁移率器件，可以更好地应用于高频、高压和大功率的领域，自然受到5g通信领域的青睐。
3、对于氮化镓射频功率放大器来说，提高器件的功率和射频性能是氮化镓射频芯片一直在追求的。然而在半导体器件的设计和使用过程中，存在诸多影响器件输出功率、射频性能、可靠性的因素，例如由于器件中温度分布不均匀而导致器件发热量大、可靠性低，进而影响器件的输出功率、可靠性等。因此，在半导体器件的设计过程中，如何使半导体器件的温度均匀分布是一项非常关键的技术。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个源极，所述源极沿所述第一方向延伸，多个所述源极沿所述第二方向排列；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类通孔包括至少一个第一通孔，所述第二类通孔包括至少一个第二通孔；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件边缘的一侧，所述第二通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件中心的一侧；
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个源极，所述源极沿所述第一方向延伸，多个所述源极沿所述第二方向排列；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类通孔包括至少一个第一通孔，所述第二类通孔包括至少一个第二通孔；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件边缘的一侧，所述第二通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件中心的一侧；
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件边缘的一侧，所述第二通孔位于任一其他通孔靠近所述半导体器件中心的一侧；
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类通孔包括至少两个第一通孔，所述第二类通孔包括至少一个第二通孔；
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，孙琳琳，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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