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一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，所述模制结构包括多个栅电极以及多个模制绝缘层，其中，所述多个栅电极以阶梯形状堆叠；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述模制结构；单元接触，所述单元接触延伸穿过所述模制结构，所述单元接触连接到第一栅电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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