【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种非易失性存储器件以及包括非易失性存储器件的电子系统，更具体地，涉及一种具有垂直沟道的非易失性存储器件以及包括非易失性存储器件的电子系统。
技术介绍
1、期望可以增加非易失性存储器件的集成度以满足消费者所期望的高性能和低价格。在非易失性存储器件的情况下，集成度是决定产品价格的因素，因此，需要增加集成度。
2、在二维或平面非易失性存储器件的情况下，集成度可以由单位存储单元(unitmemory cell)占据的面积来决定，因此，集成度会受到形成精细图案的技术水平的影响。然而，由于图案的微型化需要昂贵的设备，因此其仍然受到限制。因此，已经提出了包括三维布置的存储单元的3d非易失性存储器件。
技术实现思路
1、本公开提供了一种具有改善的性能和可靠性的非易失性存储器件。
2、本公开提供了一种具有改善的性能和可靠性的电子系统。
3、本公开要解决的技术问题并不限于上述问题，本领域技术人员根据下面的描述将清楚地理解未提及的其他问题。
4、根据本...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述电介质衬垫还包括第三部分，所述第三部分位于所述第一栅电极的所述焊盘部与所述一个或更多个第一绝缘环之间，并且其中，所述电介质衬垫不平行于所述第一栅电极。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述连接部的垂...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述电介质衬垫还包括第三部分，所述第三部分位于所述第一栅电极的所述焊盘部与所述一个或更多个第一绝缘环之间，并且其中，所述电介质衬垫不平行于所述第一栅电极。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述连接部的垂直厚度大于或等于所述延伸部的垂直厚度。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述焊盘部的垂直厚度大于或等于所述连接部的垂直厚度的两倍。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：
9.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述电介质衬垫还包括：
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔铜成，金秉柱，朴圆濬，郑在珉，千昌宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。