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公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其位于衬底上并且包括交替地堆叠的栅电极和绝缘层；第一穿通过孔件，其延伸通过堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其与第一穿通过孔件间隔开，其中，第二穿通过孔件延伸通过堆叠结构，其中，第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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