【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体装置和一种包括该半导体装置的电子系统，并且更具体地，涉及一种包括非易失性竖直存储器装置的半导体装置以及一种包括该半导体装置的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中已经要求能够存储高容量数据的半导体装置，并且因此，已经研究了能够增加半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体装置的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括具有三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元的竖直存储器装置的半导体装置。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供一种具有改善的结构可靠性的半导体装置。
2、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体装置，包括：衬底；堆叠结构，其位于衬底的上表面上，其中，堆叠结构包括在垂直于衬底的上表面的竖直方向上交替地堆叠的栅电极和绝缘层，并且在截面图中具有台阶结构；栅极焊盘，其位于堆叠结构上；第一穿通过孔件，其在竖直方向上延伸通过堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其在平行于衬底的上表面的水平方向上与第一穿通过孔件间隔开，其中，...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一突出部和所述第二突出部具有朝向所述竖直图案向内凹陷的侧壁。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一突出部的至少一部分在所述水平方向上与所述第一绝缘图案重叠，并且所述第二突出部在所述水平方向上与所述第二绝缘图案重叠。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘图案在所述竖直方向上具有第一厚度，并且所述第二绝缘图案在所述竖直方向上具有第二厚度，并且
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一突出部和所述第二突出部具有朝向所述竖直图案向内凹陷的侧壁。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一突出部的至少一部分在所述水平方向上与所述第一绝缘图案重叠，并且所述第二突出部在所述水平方向上与所述第二绝缘图案重叠。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘图案在所述竖直方向上具有第一厚度，并且所述第二绝缘图案在所述竖直方向上具有第二厚度，并且
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极焊盘包括焊盘部和焊盘突出部，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述焊盘突出部在所述第二穿通过孔件的侧壁周围延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二侧壁绝缘图案连接到所述第三绝缘图案和所述第四绝缘图案。
10.根据权利要求1...
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