温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种功率半导体器件结构及其制备方法，用来减小元胞尺寸，特别的可以降低SiC MOSFET的导通电阻，同时改善沟槽栅氧化介质的强电场屏蔽效果。本发明能够实现对半导体器件电压阻断特性的改进，同时降低导通电阻。相比其他沟槽结构，V型沟...
该专利属于南京南瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南瑞半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。