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本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

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