【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、紫外光分为长波紫外、中波紫外、短波紫外和真空紫外。其中，短波紫外光(200-280nm)被大气臭氧层强烈吸收，几乎无法到达近地表面，因此通常将该波长范围内的紫外光称为“日盲紫外”，针对该波段的光电探测器则称为日盲紫外光电探测器。由于避开了自然界最强大的太阳辐射的干扰，日盲紫外探测具备背底噪声低和探测灵敏度高的天然优势，广泛应用于空间保密通信、车辆导航、火灾警报和导弹预警等军事和民用领域。
2、超宽禁带半导体-氧化镓的禁带宽度介于4.4-5.3ev，对应的响应光谱几乎覆盖整个日盲紫外波段，且具有良好的化学和热稳定性，成为日盲紫外光电探测的理想材料。其中，非晶氧化镓制备工艺简单经济，无需高温介入，可适用于大面积制备。此外，非晶氧化镓无需考虑衬底材料的晶格匹配，因此具有相当灵活的衬底选择性。这尤其适用于构筑背栅型光电晶体管，从而利用栅压调控进一步提升探测器的灵敏度，如响应度、探测率等。
3、但是非晶态结构中...
【技术保护点】
1.一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3分别制备的同质结底层与同质结顶层的厚度比为9：1。
3.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3的沉积均采用磁控溅射工艺。
4.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，同质结底层制备时，通入氩氧混合气体；同质结顶层制备时，通入纯氩气体。
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【技术特征摘要】
1.一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3分别制备的同质结底层与同质结顶层的厚度比为9：1。
3.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3的沉积均采用磁控溅射工艺。
4.根据权利要求1所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，同质结底层制备时，通入氩氧混合气体；同质结顶层制备时，通入纯氩气体。
5.根据权利要求4所述的一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，其特征在于，通入氩氧混合气体的气体流量为ar:o2＝27.9sccm:2.1sccm；通入纯氩气体的气体流量为ar＝30sccm。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱凌轩，周游，张万里，
申请(专利权)人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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