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本文描述的实施方式提供半导体装置。半导体装置包括具有一个或多个介电区域的全栅极晶体管，其中介电区域包括一个或多个介电气体。介电区域可以包括位于磊晶区域(例如，源极/漏极区域)与全栅极晶体管中栅极结构的第一部分之间的第一介电区域。介电区域还可...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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