【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种半导体装置。
技术介绍
1、随着制造半导体装置的进步和技术工艺节点的尺寸减小,晶体管可能受到短通道效应(short channel effect,sce)的影响,例如热载子的劣化(hot carrierdegradation)、能障的降低(barrier lowering)和量子局限(quantum confinement)等。且随着晶体管栅极的长度减小以达成较小的技术节点,源极/漏极(s/d)的电子穿隧增加,从而增加了晶体管的关闭电流(当晶体管处于关闭配置时流过晶体管的通道的电流)。硅(si)/硅锗(sige)的纳米结构晶体管,例如纳米线、纳米片和全栅极(gate-all-around,gaa)装置是在较小技术节点上克服短通道效应的具潜力的候选结构。相较于其他类型的晶体管,纳米结构晶体管因可减少sce和增强载子迁移率而成为有效的结构。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体基板、多个纳米结构通道、源极/漏极区域、栅极结构及介电区域。纳米结
...【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其中该介电气体包括空气。
3.如权利要求1至2任一项所述的半导体装置,其特征在于,其中该介电区域包括穿透到位于所述多个纳米结构通道之间的该栅极结构的该第二部分的多个弯曲区域。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,其中所述多个弯曲区域中的每一个包括在1纳米至12纳米的一范围内的一宽度。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,其中该介电区域对应于一第一介电区域;以及
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其中该介电气体包括空气。
3.如权利要求1至2任一项所述的半导体装置,其特征在于,其中该介电区域包括穿透到位于所述多个纳米结构通道之间的该栅极结构的该第二部分的多个弯曲区域。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,其中所述多个弯曲区域中的每一个包括在1纳米至12纳米的一范围内的一宽度。
5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:张致豪,彭成毅,李威养,林家彬,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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