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本发明涉及一种具有光束质量因子增强下波导层的氮化镓半导体激光器。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、上包覆层，所述下波导层为光束质量因子增强下波导层；该半导体激光器，通过调控下波导层的形变势分布...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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