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本技术公开了一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，属于功率模块技术领域；包括一壳体，壳体内包含引线框架，引线框架包括功率端子和信号端子；绝缘陶瓷基板，绝缘陶瓷基板包括导电铜层功率电路蚀刻区和导电铜层信号电路蚀刻区；功率芯片设于...
该专利属于斯达半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯达半导体股份有限公司授权不得商用。

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