一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块制造技术

本技术公开了一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，属于功率模块技术领域；包括一壳体，壳体内包含引线框架，引线框架包括功率端子和信号端子；绝缘陶瓷基板，绝缘陶瓷基板包括导电铜层功率电路蚀刻区和导电铜层信号电路蚀刻区；功率芯片设于绝缘陶瓷基板上；功率芯片的背面连接导电铜层功率电路蚀刻区；功率芯片的正面功率极连接铜箔，铜箔连接导电铜层功率电路蚀刻区或功率端子；功率芯片的信号极与导电铜层信号电路蚀刻区或信号端子进行连接。上述技术方案的有益效果是：有利于功率模块耐受高结温的工作环境，提高功率模块的可靠性，减小近芯片端芯片应力，保护芯片。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率模块，尤其涉及一种新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块。

技术介绍

1、随着科技的发展，igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)车用功率模块在新能源汽车领域的应用越来越广泛，对igbt(insulated gatebipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)功率模块提出了高工作结温、高可靠性等要求。

2、在现有技术中，芯片表面直接采用铝线绑定工艺，导致车用功率模块抗功率循环的能力不够、可靠性不足，芯片自身温度不均匀；在芯片正面直接焊接较厚引线框架，导致近芯片端的芯片应力过大，容易对芯片产生冲击。

技术实现思路

1、本技术的目的在于，提供一种新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，解决以上技术问题；

2、一种新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，包括一壳体，所述壳体内包含：

3、引线框架，所述引线框架包括功率端子和信号端子；

4、绝缘陶瓷基板，所述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，其特征在于，包括一壳体，所述壳体内包含：

2.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，其特征在于，所述壳体为环氧体，所述绝缘陶瓷基板、所述功率芯片和所述引线框架通过环氧塑封工艺塑封于所述环氧体内。

3.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，其特征在于，所述功率芯片为硅芯片，所述功率芯片内部包括IGBT芯片和DIODE芯片；

4.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，其特征在于，所述功率芯片的背面和所述功率芯片的...

【技术特征摘要】

1.一种新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，其特征在于，包括一壳体，所述壳体内包含：

2.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，其特征在于，所述壳体为环氧体，所述绝缘陶瓷基板、所述功率芯片和所述引线框架通过环氧塑封工艺塑封于所述环氧体内。

3.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，其特征在于，所述功率芯片为硅芯片，所述功率芯片内部包括igbt芯片和diode芯片；

4.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，其特征在于，所述功率芯片的背面和所述功率芯片的正面功率极的表面覆盖有用于银烧结和软钎焊的金属材料层。

5.根据权利要求1所述的新型近芯片端连接技术的igbt车用单管功率模块，其特征在于，所述铜箔的表面为裸铜或用于银烧结的镀银表面或镀金表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈烨，韦子超，姚礼军，刘志红，郝红苗，
申请(专利权)人：斯达半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：