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本发明涉及半导体大硅片制造技术领域,具体是涉及半导体大硅片制造用等静压石墨高温真空炉,包括支撑架、固定设置于支撑架上的真空炉本体、若干个呈环形固定设置于支撑架上的横板、用于调节真空炉本体内温度的控温单元和用于监测真空炉本体内温度的监测单元,...该专利属于福建福碳新材料科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建福碳新材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体大硅片制造技术领域,具体是涉及半导体大硅片制造用等静压石墨高温真空炉,包括支撑架、固定设置于支撑架上的真空炉本体、若干个呈环形固定设置于支撑架上的横板、用于调节真空炉本体内温度的控温单元和用于监测真空炉本体内温度的监测单元,...