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实施方式提供一种能确保光刻的修正容限并减少尺寸转换差的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置的阶梯部具有以多个板状部分割的区域，且在第2方向上依序相邻的第1到第3区域，在沿第2方向的剖面观察的情况下，第1到第3区...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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