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本发明涉及一种在用于反射EUV辐射的光学元件(M1)上沉积覆盖层的方法。在该方法中，在光学元件(M1)上沉积含磷(P)的覆盖层。为了沉积，光学元件(M1)设置在EUV光刻系统的壳体(36)的内部(39)中，并且为了沉积覆盖层，从设置在内部(...
该专利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡尔蔡司SMT有限责任公司授权不得商用。

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