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本发明公开一种钙钛矿薄膜与制备、及包含其的光电器件，二维钙钛矿基元、气相沉积于二维钙钛矿基元的三维钙钛矿基元，三维钙钛矿基元沿001晶面取向生长，通过二维钙钛矿诱导改变前驱体碘化铅薄膜取向，使得碘化铅晶体在001晶面取向生长，从而制备晶体定...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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