【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电，尤其涉及一种钙钛矿薄膜与制备、及包含其的光电器件。
技术介绍
1、钙钛矿薄膜结晶调控在钙钛矿太阳能电池
具有重要的研究意义。
2、目前，钙钛矿薄膜的制备方法主要包括溶液法和气相沉积两类。溶剂法通过添加剂工程、溶剂工程等实现对钙钛矿薄膜择优取向的调控，但因其均一性差、使用有毒溶剂、难以大面积制备，不适合商业化大规模生产。气相沉积法制备的钙钛矿薄膜具有良好的均一性、无需使用有毒溶剂、适合大面积，有较大商业化生产潜力。但现有气相法工艺所制备的钙钛矿晶粒排列杂乱无序，难以控制，无法获得高质量按照特定方向排列的钙钛矿薄膜，气相沉积法制备的钙钛矿薄膜存在缺陷态密度高，载流子传输效果不好的问题。
3、因此，需要提供一种具有择优取向的钙钛矿薄膜的技术方案，改善钙钛矿薄膜的载流子传输。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种钙钛矿薄膜与制备、及包含其的光电器件，用于解决如何改善钙钛矿薄膜的载流子传输的问题。
2、为达到上述技术目的，本申请采用
【技术保护点】
1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，包括二维钙钛矿基元、气相沉积于所述二维钙钛矿基元的三维钙钛矿基元，所述三维钙钛矿基元沿001晶面取向生长。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述二维钙钛矿的厚度为1-1000nm。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述二维钙钛矿基元包括Ruddlesden-Popper相钙钛矿、Dion-Jacobson相钙钛矿、ACI相钙钛矿中的一种或几种。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的钙钛...
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，包括二维钙钛矿基元、气相沉积于所述二维钙钛矿基元的三维钙钛矿基元，所述三维钙钛矿基元沿001晶面取向生长。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述二维钙钛矿的厚度为1-1000nm。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述二维钙钛矿基元包括ruddlesden-popper相钙钛矿、dion-jacobson相钙钛矿、aci相钙钛矿中的一种或几种。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热反应的气压为0.1-1000pa。
6.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法，...
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