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本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：依次形成一第一间隙壁层、一第一栅极层和一第二间隙壁层在一基底的上方；定义一第一开口，其穿透该第一间隙壁层、该第一栅极层以及该第二间隙壁层；以及依序形成一第一栅极介电层、一通道层、一第二栅极...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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