【技术实现步骤摘要】
本公开涉及垂直栅极环绕(gate-all-around，gaa)结构及其制备方法。特别地，本公开涉及包括多个栅极电极的gaa结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机和其他电子设备。
2、场效应晶体管(field-effect transistor，fet)针对逻辑和存储设备进行优化，并具有短的栅极。fet的其他结构是为优化i/o设备而制造的，并且具有长的栅极，可以增加电流密度、改善热特性等。随着半导体行业为了追求更大的元件密度而进入先进技术制程节点，阈值电压变化的挑战已经出现。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括多个操作。依次形成一第一间隙壁层、一第一栅极层和一第二间隙壁层在一基底的上方。定义一第一开...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
3.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该第一栅极介电层包括：
4.如权利要求3所述的制备方法，其中该通道层接触第一开口的底部。
5.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该通道层包括：
6.如权利要求5所述的制备方法，还包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其中形成第二栅极介电层和第二栅极层包括：
8.如权利要求7所述的制备方法，其中位于该第二开口底部的该第二栅极介电层的厚度大于位于该第二开口侧壁的该第二...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
3.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该第一栅极介电层包括：
4.如权利要求3所述的制备方法，其中该通道层接触第一开口的底部。
5.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该通道层包括：
6.如权利要求5所述的制备方法，还包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其中形成第二栅极介电层和第二栅极层包括：
8.如权利要求7所述的制备方法，其中位于该第二开口底部的该第二栅极介电层的厚度大于位于该第二开口侧壁的该第二栅极介电层的厚度。
9.如权利要求6所述的制备方法，其中该形成第二栅极介电层包括：
10.如权利要求9所述的制备方法，其中位于该第二开口底部的该第二栅极介电层的厚度与位于该第二开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡镇宇，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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