温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括基底、位于基底上的若干有源区和相邻有源区之间的隔离结构，隔离结构还位于有源区侧壁；位于部分有源区表面的主栅极结构；位于隔离结构表面的虚设栅极结构；位于主栅极结构两侧的有源区内的源漏槽，源漏槽暴...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。