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包含沟道与源极之间的柱接触的三维存储器器件及其制造方法技术
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下载包含沟道与源极之间的柱接触的三维存储器器件及其制造方法的技术资料
文档序号:41770843
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一种半导体结构,该半导体结构包括接合到逻辑管芯的存储器管芯。该存储器管芯包括:绝缘层和导电层的交替堆叠;位于该交替堆叠的远侧表面上的半导体材料层;位于该半导体材料层的远侧表面上的介电间隔物层;竖直延伸穿过该交替堆叠、穿过该半导体材料层并且至...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。
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