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一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在ＳＯＩ上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将ＳＯＩ的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件；步骤２：利用有机／无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料；步骤３：在ＳＯＩ的Ｓｉ...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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