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示例性半导体处理方法可包括：将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括：在处理区域中形成含硅前驱物的等离子体，以及在基板上形成第一材料层。第一材料层可包括氧化硅。方法可包括：将含锗前驱物提...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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