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本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区；形成在所述沟道区内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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