一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法技术

本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区；形成在所述沟道区内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小；形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区，且所述沟道欧姆接触区和所述变掺杂源极在横向方向间隔设置；其中，所述沟道欧姆接触区接地使得沟道区恒定接地。本申请实施例解决了传统的LDMOS器件工作时源极电位抬升会抬升沟道电位的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体地，涉及一种ldmos器件及ldmos器件的制备方法。

技术介绍

1、laterally-diffused metal-oxide semiconductor（ldmos，横向扩散金属氧化物半导体）是应用于射频功率电路常见的功率放大器半导体器件，其横向加强承压可以满足高耐压及功率放大等方面的要求。单片集成的射频放大电路常有需要控制射频放大ldmos器件开启和关断的需求，常用的满足开关需求的器件为传统mos器件，但受限其无漂移区的结构无法承受高电压，使用mos器件作为开关的使用场景常为较低的漏极电压或源极电压下，无法满足高开启电压的ldmos的需求，因此使用开发能够承受高电压和工艺兼容性好的ldmos器件作为射频功率电路的控制模块极其重要。

2、cn107026200b的一种半导体器件和制造半导体器件的方法中，该类型ldmos晶体管构成控制射频ldmos的模块。该申请器件栅极到漏极部分与常规ldmos结构一致，栅极到源极区域做出改变，使用漏极区域在栅极、源极区域和沟道区域之下延伸，将源极区域和沟道区域与衬底的下方区域隔开，利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述变掺杂源极包括第二掺杂类型的重掺杂源区（9）和第二掺杂类型的轻掺杂源区（7），所述轻掺杂源区（7）包裹所述重掺杂源区（9）的底部和侧面。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述沟道欧姆接触区（10）和所述轻掺杂源区（7）在横向方向间隔设置。

4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述沟道区（4）和所述轻掺杂源区（7）形成的PN结的击穿电压大于LDMOS器件的漏极电压和源极电压。

5.根据权利要求4所述的LDMO...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述变掺杂源极包括第二掺杂类型的重掺杂源区（9）和第二掺杂类型的轻掺杂源区（7），所述轻掺杂源区（7）包裹所述重掺杂源区（9）的底部和侧面。

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟道欧姆接触区（10）和所述轻掺杂源区（7）在横向方向间隔设置。

4.根据权利要求3所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟道区（4）和所述轻掺杂源区（7）形成的pn结的击穿电压大于ldmos器件的漏极电压和源极电压。

5.根据权利要求4所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟道区（4）和所述轻掺杂源区（7）形成的pn结的击穿电压的取值范围为大于等于15伏；

6.根据权利要求4所述的ldmos器件，其特征在于，所述轻掺杂源区（7）掺杂浓度的量级取值范围为1016/cm3到1019/cm3；

7.根据权利要求3所述的ldm...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宇，岳丹诚，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：