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本发明提供一种增加ＰＭＯＳ有效沟道长度的方法，包括以下步骤：在衬底内制作ｎ阱和ｐ阱；在ｎ阱上制作第一多晶硅栅，在ｐ阱上制作第二多晶硅栅；生长第一氧化层；在ｎ阱区域进行轻掺杂源／漏注入；在ｎ阱和ｐ阱表面生长第二氧化层；在ｐ阱区域进行轻掺杂源／...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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