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本发明提供一种晶体管结构及芯片，该晶体管结构包括：衬底基板，以及依次层叠设置于衬底基板上的电极层和导电连接层；电极层包括源漏金属层和栅金属层；源漏金属层包括多个源极和多个漏极，源极和漏极沿第一方向交替设置；栅金属层包括至少一个栅连接部和多个...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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