一种晶体管结构及芯片制造技术

本发明专利技术提供一种晶体管结构及芯片，该晶体管结构包括：衬底基板，以及依次层叠设置于衬底基板上的电极层和导电连接层；电极层包括源漏金属层和栅金属层；源漏金属层包括多个源极和多个漏极，源极和漏极沿第一方向交替设置；栅金属层包括至少一个栅连接部和多个栅极，相邻的源极和漏极之间具有一个栅极；多个栅极中，至少部分相邻的栅极通过栅连接部相耦接；导电连接层包括沿第二方向相对设置的与多个栅极的第一端分别耦接的第一导电连接部和与多个栅极的第二端分别耦接得出第二导电连接部。本发明专利技术增加栅极内部的电性连接，加快了整体器件对电信号的响应，改善栅极电阻，减少了器件整体的响应时长，改善了晶体管器件的高频应用能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及晶体管，尤其涉及一种晶体管结构及芯片。

技术介绍

1、氮化镓高电子迁移率晶体管(英文：gan high electron mobility transistor，简称：gan hemt)器件的栅极电阻(英文：gate rsistance，简称：rg)影响器件开启速度，从而影响器件响应速度，进而影响器件的应用。目前，gan hemt器件的栅极电阻仍然较大，限制了gan hemt器件的高频应用。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种晶体管结构及芯片，以解决现有晶体管器件的栅极电阻较大，限制了晶体管器件的高频应用的技术问题。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：

3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板，以及依次层叠设置于所述衬底基板上的电极层和导电连接层；所述电极层包括源漏金属层和栅金属层；

4、所述源漏金属层包括多个源极和多个漏极，所述源极和所述漏极沿第一方向交替设置；

<p>5、所述栅金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的电极层和导电连接层；所述电极层包括源漏金属层和栅金属层；

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述多个栅极划分为沿所述第一方向排列的多组栅极组，所述栅极组包括相邻的两个所述栅极，属于同一栅极组中的两个所述栅极之间通过至少一个所述栅连接部耦接。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括层叠设置的势垒层和沟道层，所述势垒层和沟道层位于所述衬底基板和所述源漏金属层之间；

4.根据权利要求1或2任一项所述的晶体管结构，其特征在于，所述栅连接部包括沿所述第二方向排列的...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的电极层和导电连接层；所述电极层包括源漏金属层和栅金属层；

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述多个栅极划分为沿所述第一方向排列的多组栅极组，所述栅极组包括相邻的两个所述栅极，属于同一栅极组中的两个所述栅极之间通过至少一个所述栅连接部耦接。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括层叠设置的势垒层和沟道层，所述势垒层和沟道层位于所述衬底基板和所述源漏金属层之间；

4.根据权利要求1或2任一项所述的晶体管结构，其特征在于，所述栅连接部包括沿所述第二方向排列的第一栅连接部；

5.根据权利要求1或2任一项所述的晶体管结构，其特征在于，所述导电连接层包括至少一个第三导电连接部，所述第三导电连接部位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：司乙川，严慧，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：