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本申请公开一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括：基底，包括密集区及松散区；多个第一、第二导电特征，分别设于密集区及松散区上；多个抗背溅镀层、第二硬遮罩结构，分别设置于第一、第二导电特征上；多个第一硬遮罩结构，设置于抗背溅镀层上。抗背溅...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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