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本发明涉及一种晶圆背面的加工方法，包括如下步骤：S10，在晶圆背面沉积Ti薄膜，形成粘附层；S20，在粘附层上共沉积Ni和V，形成第一NiV阻挡层；S30，在第一NiV阻挡层上沉积Ni薄膜，形成Ni阻挡层；S40，在Ni阻挡层上共沉积Ni和...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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