【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种晶圆背面的加工方法及晶圆。
技术介绍
1、随着科技的迅速发展，对于半导体器件的性能要求不断提高，尤其是在超薄高性能器件的制造领域。为了满足这些要求，晶圆级封装和薄晶圆加工技术变得越来越重要。在这些技术中，背面金属化技术发挥着至关重要的作用，它不仅涉及到器件的封装，还直接影响到器件的性能。
2、背面金属化是一种在晶圆片背面形成金属薄膜的技术，通常采用物理气相沉积(pvd)方法。这种方法在减薄后的晶圆片背面沉积金属材料，形成薄膜。目前，晶圆片背面一般采用多层金属薄膜工艺，这些薄膜一般由粘附层、阻挡层和导电层三层组成，以确保良好的附着力、低接触电阻和低薄膜应力。
3、然而，随着对超薄高性能器件需求的不断增加，背面金属化技术面临着新的挑战。特别是在阻挡层材料的选择和应用中，传统的使用镍钒(niv)薄膜作为阻挡层存在着应力过高的问题。这种高应力不仅影响薄膜的稳定性和粘附性，还可能给生产过程带来不可控风险以及损害产品的稳定性。
4、现有的晶圆背面金属化技术，如中国专利202311...
【技术保护点】
1.一种晶圆背面的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1的晶圆背面的加工方法，其特征在于，在步骤S20中，和步骤S40中，通过调节Ni与V的共沉积比例调整NiV阻挡层的应力。
3.根据权利要求2的晶圆背面的加工方法，其特征在于，在步骤S10中，通过物理气相沉积(PVD)方法沉积Ti薄膜。
4.根据权利要求3的晶圆背面的加工方法，其特征在于，Ni和V的共沉积以及Ni阻挡层的沉积是在同一腔室内完成。
5.根据权利要求4的晶圆背面的加工方法，其特征在于，通过控制共沉积的时间和功率调整第一NiV阻挡层和第二Ni
【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1的晶圆背面的加工方法，其特征在于，在步骤s20中，和步骤s40中，通过调节ni与v的共沉积比例调整niv阻挡层的应力。
3.根据权利要求2的晶圆背面的加工方法，其特征在于，在步骤s10中，通过物理气相沉积(pvd)方法沉积ti薄膜。
4.根据权利要求3的晶圆背面的加工方法，其特征在于，ni和v的共沉积以及ni阻挡层的沉积是在同一腔室内完成。
5.根据权利要求4的晶圆背面的加工方法，其特征在于，通过控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：王全，郝广信，华逢钊，王燕琳，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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