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一种场效应晶体管制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成掩膜层，刻蚀所述掩膜层，暴露出部分所述第一介质层；进行重型离子注入，改变暴露出来的所述第一介质层的刻蚀速率；去除所述掩膜层，并基于所述第一介质...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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