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本发明公开了一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管，制作N型外延层，N型外延层置于衬底上；制作初始氧化层，初始氧化层置于N型外延层上；形成钳位图形；注入磷离子后退火，形成钳位二极管，并于钳位二极管上形成钳位氧化层；形成基区图形；注入硼离子后退...
该专利属于福建福顺微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建福顺微电子有限公司授权不得商用。

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